时间：2025/12/23 15:01:24
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TDM501T1-GV 是一种基于 MOS 工艺的光耦合器，适用于各种工业和消费类应用。该器件由一个 GaAlAs 发光二极管（LED）和一个 N 沟道增强型 MOSFET 组成。通过光电隔离技术，它可以实现输入和输出之间的高电气隔离，同时保持低导通电阻和快速响应时间。
这种光耦合器具有良好的抗噪性能和较高的共模抑制比，适合在恶劣电磁环境下使用。其封装形式为 SOP-4，能够满足紧凑设计的需求。
工作电压（VDD）：4.5V~30V
最大输出电流：50mA
导通电阻（RDS(ON)）：2Ω max
隔离电压（VIORM）：5000Vrms min
工作温度范围：-40°C ~ +110°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
带宽：1MHz typ
上升时间：2μs max
下降时间：1.5μs max
TDM501T1-GV 提供了出色的电气隔离性能，能够在高达 5000Vrms 的条件下保证安全运行。此外，它还具备以下特点：
1. 高速传输能力：得益于较快的上升和下降时间，能够支持高频信号的传输。
2. 低导通电阻：仅 2Ω 的 RDS(ON) 确保了较低的功耗和热量产生。
3. 宽工作电压范围：从 4.5V 到 30V 的兼容性使其可以应用于多种电源环境。
4. 耐高温设计：最高可承受 +110°C 的工作温度，适合严苛环境下的使用。
5. 小型化封装：SOP-4 封装减少了 PCB 空间占用，便于系统集成。
TDM501T1-GV 广泛应用于需要电气隔离的场景中，例如：
1. 开关电源和功率转换器中的反馈控制电路。
2. 工业自动化设备中的信号隔离与传输。
3. 医疗设备中的患者接口保护。
4. 测量仪器中的数据采集模块。
5. 可编程逻辑控制器（PLC）中的输入/输出接口。
6. LED 驱动器中的调光控制电路。
TLP521-4, ACPL-C79A, PS2801S
