类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：1A
　　脉冲漏极电流（Idm）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤1.5Ω @ Vgs = 10V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220 / TO-252（DPAK）

CJV01N60 T/P 具备一系列优良的电气和热性能特性。其最大漏源电压为600V，适用于高电压环境下的功率开关应用。栅极驱动电压范围宽，最大可承受±20V，提高了驱动电路设计的灵活性。
　　该MOSFET的导通电阻较低，在10V栅极电压下不超过1.5Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其连续漏极电流为1A，脉冲漏极电流可达4A，适合处理瞬态高电流需求。
　　此外，CJV01N60 T/P 采用了高耐压的平面工艺，具有良好的雪崩能量承受能力和抗过载能力，增强了器件的可靠性和稳定性。封装形式为TO-220或TO-252，具备良好的散热性能，适用于各种电源适配器、LED驱动电源、小型电机控制、家电电源等应用场合。
　　该器件还具有低门极电荷（Qg）特性，有助于提高开关速度，减少开关损耗，从而提升整体系统的能效。其工作温度范围为-55℃至+150℃，适用于多种环境条件下的稳定运行。

CJV01N60 T/P 主要应用于各种中小功率的电源管理系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、LED照明驱动电路、小型电机控制电路、家用电器电源模块、电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器、充电器和适配器等。
　　由于其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，该MOSFET非常适合用于对空间和效率有较高要求的消费类电子产品和工业控制设备中。

CJQ01N60, 2N60, FQP1N60, IRF730, STP1N60