类型: N 沟道 MOSFET
　　漏极电流 (ID): 40A
　　漏极-源极电压 (VDS): 40V
　　栅极-源极电压 (VGS): ±20V
　　导通电阻 (RDS(on)): 1.8mΩ（典型值，VGS = 10V）
　　工作温度范围: -55°C 至 +175°C
　　封装类型: PowerFLAT 5x6 或其他等效功率封装

TDH041SCANH 功率 MOSFET 具有多个关键特性，使其在各种功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流条件下，导通损耗极低，从而提高整体系统效率。其次，该器件具有高电流承载能力，能够处理较大的负载电流，适用于高功率密度的设计。此外，TDH041SCANH 采用了先进的封装技术，提供优异的散热性能，确保在高功耗应用中保持较低的工作温度。其高耐压特性（40V VDS）使其能够承受较高的电压应力，适用于多种电源管理场景。栅极驱动电压范围宽（±20V），允许灵活的驱动设计，并提供更好的过压保护能力。该器件的热稳定性良好，能够在高温环境下可靠运行，适用于工业级和汽车级应用。最后，该 MOSFET 的封装形式（如 PowerFLAT 5x6）具有较小的占板面积，适合紧凑型 PCB 布局设计，提升整体系统集成度。

TDH041SCANH 广泛应用于多种电力电子系统中，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源管理和汽车电子系统。在 DC-DC 转换器中，该器件可作为主开关，实现高效率的能量转换；在同步整流电路中，它可有效降低导通损耗，提高转换效率。在负载开关和电池管理系统中，TDH041SCANH 可用于控制高电流路径，实现快速的开关操作和稳定的电流管理。此外，在汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统和启停系统中，该 MOSFET 凭借其高可靠性和优良的热性能，成为理想的功率开关选择。由于其优异的电气特性和紧凑的封装形式，TDH041SCANH 也适用于工业自动化、电源分配系统以及高功率 LED 驱动电路等应用场景。

STL041N40F3, IPP041N04NG, IPD041N04NG