时间：2025/6/21 5:46:58
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TD852SLT1-GV是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景，例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电源管理等。它采用了小型封装，能够有效节省PCB空间，同时具备出色的电气性能和可靠性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.7A
导通电阻：50mΩ
栅极电荷：11nC
开关时间：ton=18ns, toff=16ns
工作结温范围：-55℃至150℃
1. 高效的开关性能，适合高频应用。
2. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗。
3. 小型化的SOT-23封装，可显著减少电路板占用面积。
4. 快速的开关速度，减少开关损耗。
5. 符合RoHS标准，环保设计。
6. 广泛的工作温度范围，适应多种环境条件。
1. 开关模式电源（SMPS）中的开关元件。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 负载开关在便携式设备中实现高效的电源管理。
4. 电机驱动中的功率级控制。
5. 各类消费电子产品的保护电路。
6. 工业设备中的信号切换与控制电路。
IRLML2402, SI2305DS-T1-E3, FDMQ8209
