TD814A1SLT1-GV 是一款由东芝(Toshiba)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装,适用于各种需要高效功率转换的应用场景。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为电源管理、电机驱动以及开关电源设计中的理想选择。
该器件的设计结合了先进的工艺技术,以实现更低的功耗和更高的系统效率。通过优化的封装形式,TD814A1SLT1-GV 还具备出色的散热性能,适合在紧凑型设计中使用。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:6.7A
导通电阻:32mΩ(典型值,在 VGS=10V 时)
栅极电荷:4nC(典型值)
总功耗:1.3W
工作结温范围:-55°C 至 +150°C
TD814A1SLT1-GV 的主要特性包括以下几点:
1. 高效功率转换:由于其低导通电阻(Rds(on)),可以显著降低传导损耗,从而提高整体效率。
2. 紧凑型封装:TO-252 (DPAK) 封装形式使该器件能够在有限的空间内提供强大的性能。
3. 高可靠性:经过严格的质量测试,确保在各种恶劣环境下的稳定运行。
4. 广泛的工作温度范围:支持从 -55°C 到 +150°C 的结温范围,满足工业级应用需求。
5. 快速开关性能:低栅极电荷和优化的内部结构使得开关速度更快,有助于减少开关损耗。
TD814A1SLT1-GV 被广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):如适配器、充电器等。
2. 直流-直流转换器:用于便携式设备、通信设备中的电压调节。
3. 电机驱动:小型电机控制和保护电路。
4. 负载开关:为不同负载提供高效的功率切换。
5. 电池管理系统(BMS):用于电动汽车和储能系统的电池保护与管理。
TD814A1SLT1-G, IRF530, FDN340P