类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：150V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：80A
　　导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：220W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

C155KGKFKT MOSFET 具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。
　　首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，适用于高电流应用。此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。
　　其次，该 MOSFET 采用先进的沟槽式结构设计，使得在高电压和大电流条件下仍能保持良好的开关性能，同时降低了开关损耗。其快速开关特性有助于提升 DC-DC 转换器、同步整流器等应用的响应速度和效率。
　　再者，TO-252（DPAK）封装提供了良好的散热性能，有助于在高功率密度设计中实现热管理优化。此外，该封装形式适合表面贴装技术（SMT），提高了制造效率和可靠性。
　　最后，该器件具有良好的热稳定性和抗短路能力，能够在严苛环境中稳定工作，适用于工业控制、电源供应器、电池管理系统（BMS）、电动工具和汽车电子等高可靠性要求的应用场景。

C155KGKFKT MOSFET 主要用于需要高效率、高电流处理能力的功率电路中。典型应用包括：
　　? 同步整流器和 DC-DC 转换器
　　? 多相电源和服务器电源系统
　　? 电机驱动器和负载开关
　　? 电池管理系统（BMS）
　　? 电动工具和工业控制系统
　　? 高功率 LED 照明驱动电路
　　? 汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）和车载充电器（OBC）
　　由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适用于需要高效能和紧凑设计的现代电源管理方案。

SiHF60N150E、IRF150GPBF、IXFN80N150、FDMS8018、STP80NF15