时间：2025/7/3 11:00:20
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TD5PHED是一款高效的N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等多种功率电子应用。其低导通电阻和高电流处理能力使其在中高功率应用场景中表现优异。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：18A
导通电阻：25mΩ
栅极电荷：39nC
开关速度：快速
封装类型：TO-220
TD5PHED具有以下主要特性：
1. 低导通电阻（Rds(on)）设计，有效降低功率损耗。
2. 高雪崩能量能力，增强器件的鲁棒性。
3. 快速开关性能，适合高频应用环境。
4. 良好的热性能，支持高功率密度设计。
5. 符合RoHS标准，环保无铅工艺。
这些特性使TD5PHED成为工业控制、消费电子和通信设备中的理想选择。
TD5PHED广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 直流电机驱动
3. 电池管理系统（BMS）
4. DC-DC转换器
5. 逆变器及不间断电源（UPS）
6. 电信设备电源模块
其高效能和可靠性确保了在各种严苛工作条件下的稳定运行。
IRF540N
STP18NF50
FDP18N50
