TD570N14KOF 时间：2025/8/23 14:01:28 阅读：3

TD570N14KOF是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET晶体管，专为高电压和高电流应用设计。该器件采用了先进的制造工艺，确保了其在高频率和高效率工作条件下的稳定性和性能。适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种功率电子设备中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：140V
　　最大漏极电流（Id）：570A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为1.4mΩ
　　最大功率耗散（Pd）：300W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-264
　　栅极电荷（Qg）：约240nC
　　漏源击穿电压（BVDSS）：140V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：约4V
　　最大栅极电压：±20V

特性

TD570N14KOF具有极低的导通电阻，使其在高电流条件下能够有效降低功率损耗，提高整体系统效率。该器件采用了先进的封装技术，提供了良好的热管理和高耐久性，适用于高温环境下的长期运行。
　　此外，该MOSFET具备优异的雪崩能量承受能力，能够在突发电压冲击下保持稳定工作，提升系统的可靠性。其高栅极稳定性设计使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗并提高了响应速度。
　　TD570N14KOF还具备优异的抗短路能力和高耐用性，适合在高负载和极端工况下使用。其封装设计支持良好的散热性能，有助于提高整体系统的热稳定性，延长使用寿命。
　　由于其高电流承载能力和低导通损耗，该器件广泛应用于高性能电源系统、电动车辆的功率控制、工业电机驱动以及高功率DC-DC转换器等领域。

应用

TD570N14KOF广泛应用于各种高功率电子系统中，包括高性能电源供应器、服务器电源、工业电机控制、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电动车辆和混合动力汽车的功率控制模块、逆变器以及高功率开关电源等。此外，该器件也适用于需要高可靠性和高效率的电源管理系统，如太阳能逆变器和储能系统中的功率控制单元。