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TD3F250M 发布时间 时间:2025/7/24 17:29:37 查看 阅读:8

TD3F250M 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率和高频应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。TD3F250M 采用先进的工艺制造,能够在较高的工作频率下保持较低的开关损耗,是一款适用于现代高效能电子系统的重要组件。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):30A
  漏源电压(VDS):250V
  栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大0.27Ω
  功率耗散(PD):130W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:TO-220

特性

TD3F250M 具备多项优异的电气和物理特性,使其在多种高功率应用场景中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通状态下的功率损耗,提高整体系统的效率。此外,该器件具备高漏源击穿电压(250V),可在较高的电压环境下稳定工作,适用于高电压应用。
  TD3F250M 采用了先进的封装技术,具有良好的散热性能,确保在高电流工作条件下仍能维持较低的温度,从而提升器件的可靠性和使用寿命。该MOSFET的高栅极绝缘性能(±20V VGS)增强了其在复杂工作环境下的稳定性,防止因过高的栅极电压导致的损坏。
  另外,该器件具有较快的开关速度,能够适应高频开关操作,适用于开关电源、马达驱动和负载开关等需要快速响应的电路设计。其TO-220封装形式便于安装和散热设计,适用于通用的电路板布局。TD3F250M 还具备良好的抗静电能力,减少了在生产、运输和使用过程中因静电放电造成的损坏风险。

应用

TD3F250M 广泛应用于多种高功率和高频电子系统中,包括但不限于以下领域:电源管理系统、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、负载开关、马达驱动器、工业自动化设备以及消费类电子产品中的功率控制模块。其高电压和大电流能力使其在电力电子变换器中具有重要地位,特别是在需要高效率和高可靠性的系统中表现出色。

替代型号

TK25A50D, IRF840, FDPF250N10A