9DB106BGILFT 是一款高精度的贴片式陶瓷电容器,适用于高频电路中的信号滤波、耦合和旁路应用。该元件具有低ESR(等效串联电阻)和低ESL(等效串联电感),能够在高频条件下保持稳定的性能。此外,它采用X7R介质材料制成,具备出色的温度稳定性和可靠性,适合在各种恶劣环境下工作。
型号:9DB106BGILFT
容量:10uF
额定电压:6.3V
封装:0805
介质类型:X7R
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
耐压等级:6.3V
尺寸(长x宽x高):2.0mm x 1.25mm x 1.25mm
9DB106BGILFT 具有以下显著特性:
1. 使用X7R介质材料,确保了在宽温度范围内具有良好的容值稳定性。
2. 高频性能优异,得益于其低ESR和低ESL设计。
3. 小型化设计使其非常适合用于紧凑型电路板布局。
4. 符合RoHS标准,环保且无铅。
5. 能够承受多次焊接热冲击,保证了制造过程中的可靠性。
6. 提供稳定的电气性能,适合电源滤波、信号耦合和去耦等应用场景。
该电容器广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制以及汽车电子等领域。具体应用包括:
1. 高频信号处理电路中的滤波和耦合。
2. 开关电源中的输入/输出滤波。
3. 微处理器和数字电路的电源去耦。
4. RF模块中的匹配网络和阻抗调整。
5. 汽车电子系统中的噪声抑制和电源稳定性保障。
9DB106BGLFT, Kemet C0805X106K4RACTU, TDK C1608X7R1E106M125AA