您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 9DB106BGILFT

9DB106BGILFT 发布时间 时间:2025/5/10 10:39:37 查看 阅读:15

9DB106BGILFT 是一款高精度的贴片式陶瓷电容器,适用于高频电路中的信号滤波、耦合和旁路应用。该元件具有低ESR(等效串联电阻)和低ESL(等效串联电感),能够在高频条件下保持稳定的性能。此外,它采用X7R介质材料制成,具备出色的温度稳定性和可靠性,适合在各种恶劣环境下工作。

参数

型号:9DB106BGILFT
  容量:10uF
  额定电压:6.3V
  封装:0805
  介质类型:X7R
  工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
  耐压等级:6.3V
  尺寸(长x宽x高):2.0mm x 1.25mm x 1.25mm

特性

9DB106BGILFT 具有以下显著特性:
  1. 使用X7R介质材料,确保了在宽温度范围内具有良好的容值稳定性。
  2. 高频性能优异,得益于其低ESR和低ESL设计。
  3. 小型化设计使其非常适合用于紧凑型电路板布局。
  4. 符合RoHS标准,环保且无铅。
  5. 能够承受多次焊接热冲击,保证了制造过程中的可靠性。
  6. 提供稳定的电气性能,适合电源滤波、信号耦合和去耦等应用场景。

应用

该电容器广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制以及汽车电子等领域。具体应用包括:
  1. 高频信号处理电路中的滤波和耦合。
  2. 开关电源中的输入/输出滤波。
  3. 微处理器和数字电路的电源去耦。
  4. RF模块中的匹配网络和阻抗调整。
  5. 汽车电子系统中的噪声抑制和电源稳定性保障。

替代型号

9DB106BGLFT, Kemet C0805X106K4RACTU, TDK C1608X7R1E106M125AA

9DB106BGILFT推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

9DB106BGILFT参数

  • 制造商IDT (Integrated Device Technology)
  • 输出端数量6
  • 最大输入频率105 MHz
  • Supply Voltage - Max3.465 V
  • Supply Voltage - Min3.135 V
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 封装 / 箱体TSSOP-28
  • 封装Reel
  • 安装风格SMD/SMT
  • 电源电流130 mA
  • 零件号别名ICS9DB106BGILFT