时间：2025/8/23 17:36:14
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TD285N14KOF是一种功率MOSFET晶体管，广泛用于高功率和高频率应用中。该器件采用了先进的沟道MOSFET技术，提供了低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于电源转换、电机控制、逆变器以及各种工业和汽车电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1400V
最大漏极电流(Id)：285A
导通电阻(Rds(on))：典型值0.014Ω
最大功耗(Pd)：500W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-264
栅极电压(Vgs)：±30V
漏极-源极击穿电压(BVdss)：1400V
阈值电压(Vgs(th)：4.5V至6.5V
TD285N14KOF具备一系列优良的电气和热性能，确保其在严苛环境中稳定运行。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高整体效率，使其非常适合用于高电流和高功率应用场景。器件的高开关速度有助于减少开关损耗，提高系统响应速度，适用于高频开关电源和逆变器。此外，该MOSFET具有良好的热管理能力，能够在高温条件下维持稳定运行，从而延长设备寿命。
该器件采用先进的封装技术，确保良好的散热性能，适用于需要高可靠性和高性能的工业和汽车应用。其坚固的结构和优化的栅极设计提高了抗干扰能力，减少误触发的风险，从而提高系统的稳定性和安全性。TD285N14KOF还具有优异的短路和过载耐受能力，能够在极端条件下提供可靠的保护。
TD285N14KOF常用于各种高功率电子系统中，如电力电子变换器（DC-DC转换器、AC-DC整流器）、电机驱动和控制、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、电焊设备以及电动汽车充电系统等。在工业自动化和智能电网系统中，它也被广泛用于功率调节和能量管理。由于其高可靠性和优异的性能，TD285N14KOF也适用于需要高效率和高稳定性的高端应用。
TD285N14KOF的替代型号包括IXFH285N140P、IXFH285N140PT和IXFH285N140PBF。这些型号在性能和参数上与TD285N14KOF相似，适用于相同的应用场景。
