时间：2025/7/12 12:13:27
阅读：12
TD214BT1-GV 是一款高性能的 N 治道场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合在高频应用场合下使用。
该 MOSFET 的封装形式为 TO-252（DPAK），能够有效提升散热性能，并且其电气参数经过优化设计，能够在高效率和高可靠性之间取得平衡。
最大漏源电压：60V
持续漏极电流：28A
导通电阻：2.3mΩ
栅极电荷：7nC
开关时间：ton=13ns, toff=25ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
TD214BT1-GV 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，使其适用于高频 PWM 和 DC-DC 转换器等场景。
3. 较小的栅极电荷和输出电容，可降低驱动功耗。
4. 支持大电流操作，满足多种高功率应用需求。
5. 采用标准 DPAK 封装，具备良好的热特性和机械强度。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
TD214BT1-GV 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流和主开关。
2. DC-DC 转换器中的功率级控制。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
4. 电机驱动中的桥式电路。
5. 各种负载开关和保护电路。
6. 工业自动化设备中的功率转换模块。
IRFZ44N, FDP5800, AO3400A
