时间：2025/4/28 17:15:49
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STGWT40V60DF是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式，适合高电压和中等功率的应用场合。STGWT40V60DF具有低导通电阻、快速开关速度以及良好的热性能，非常适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他电力电子设备。
这款MOSFET设计旨在提供高效率和可靠性，在工业控制、消费电子和其他领域有广泛应用。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：4A
导通电阻（Rds(on)）：950mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷：15nC
输入电容：730pF
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
STGWT40V60DF具备以下主要特性：
1. 高耐压能力，能够承受高达600V的漏源电压，适用于高压应用场景。
2. 较低的导通电阻（950mΩ@Vgs=10V），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能，得益于较小的栅极电荷和输入电容，使得开关损耗得以降低。
4. 宽广的工作温度范围（-55℃至+150℃），确保在恶劣环境下的可靠运行。
5. 具备优异的雪崩能力和抗静电能力，增强了器件的耐用性和安全性。
6. TO-220封装便于散热管理和安装，同时兼容多种应用电路。
STGWT40V60DF广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 各类电机驱动应用，包括步进电机、直流无刷电机等。
4. 工业控制设备中的负载切换和保护。
5. 消费类电子产品中的电源管理模块。
6. 照明系统的驱动电路，例如LED驱动器。
IRFZ44N, FQP50N06L
