TD180N12KOF 时间：2025/8/23 13:16:47 阅读：5

TD180N12KOF是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于超级结MOSFET系列，专为高效率、高频率的电源转换应用而设计，适用于如电源供应器、DC-DC转换器、服务器电源、电池充电器以及工业控制系统等场合。TD180N12KOF采用了先进的STripFET? F7技术，提供了极低的导通电阻和优秀的开关性能，有助于降低系统损耗并提高整体能效。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：120V
　　漏极电流（ID）：180A（在Tc=25°C）
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大5.3mΩ（在VGS=10V时）
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　技术：STripFET? F7（超级结）
　　配置：单管

特性

TD180N12KOF具备多项先进的电气和热性能特点。其采用的STripFET? F7超级结技术显著降低了导通电阻，同时优化了开关损耗，使其在高频工作条件下仍能保持高效运行。该MOSFET的低RDS(on)特性可减少导通损耗，从而提升电源系统的效率并减少散热需求。此外，该器件的封装设计有助于提高散热性能，确保在高负载条件下也能维持稳定的运行。
　　在可靠性方面，TD180N12KOF具有较高的雪崩能量承受能力，能够在异常工作条件下提供更好的保护。其栅极结构设计支持快速开关操作，从而减少开关损耗并提高系统响应速度。该MOSFET还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间运行而不会出现性能下降。此外，±20V的栅源电压容限使其在驱动电路设计中更加灵活，降低了因驱动电压波动而导致损坏的风险。

应用

TD180N12KOF广泛应用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统中。典型应用包括高性能电源供应器、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、工业电机驱动、电池管理系统（BMS）以及电动汽车充电设备等。由于其优异的导通和开关性能，该器件特别适合用于高频开关拓扑结构，如LLC谐振转换器、同步整流器和PFC（功率因数校正）电路等。此外，其高可靠性和良好的热性能使其在苛刻的工业和汽车环境中表现出色。