类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：-50V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：-1A
　　导通电阻（Rds(on)）：@ Vgs = 10V: 0.5Ω，@ Vgs = 4.5V: 0.7Ω
　　功率耗散（Ptot）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

PM1M050H1AE MOSFET 具备多项优异的电气特性，包括低导通电阻，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持在不同电压条件下稳定工作，适用于多种应用场景。
　　此外，PM1M050H1AE 采用了先进的平面工艺技术，提供了良好的雪崩能量耐受能力，增强了器件在高压瞬态条件下的可靠性。
　　其 TO-252 封装具有良好的散热性能，能够在较高的环境温度下保持稳定运行。
　　由于其 P 沟道特性，该器件在高端开关应用中无需额外的电荷泵电路，简化了设计并降低了成本。
　　该 MOSFET 还具备低输入电容和快速开关速度，适用于高频开关应用，例如同步整流器和电源管理模块。

PM1M050H1AE 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池供电设备、工业控制电路以及汽车电子系统等。
　　在消费类电子产品中，该器件可用于电源管理模块，实现高效的能量转换和分配。
　　在工业控制领域，PM1M050H1AE 可用于构建高可靠性的开关电路，适用于需要频繁启停操作的应用场景。
　　此外，该器件还可用于构建电池管理系统（BMS），在电池充放电过程中提供可靠的电流控制和保护功能。
　　在汽车电子应用中，该 MOSFET 可用于车灯控制、电动窗控制、电池反向保护电路等，满足汽车环境下的严苛要求。

Si2301DS, IRML2502, FDN337P, FDMS86180, AO4403