时间：2025/6/29 3:52:46
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DMN3016LK3-13-UDU是一款由Diodes Incorporated生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于逻辑电平增强型N沟道MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景中。其小型化的封装设计使其非常适合空间受限的电路设计。
该MOSFET采用了先进的工艺技术制造，具备优异的电气性能和可靠性，适用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：1.6mΩ
总栅极电荷：27nC
输入电容：1250pF
工作结温范围：-55℃ to 175℃
封装形式：TO-Leadless (DFN8) 3x3mm
DMN3016LK3-13-UDU具有非常低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。
该器件还具有快速开关速度，能够有效降低开关损耗，在高频应用中表现尤为突出。
其高雪崩能力和强固的设计确保了在严苛环境下的可靠运行。
此外，DMN3016LK3-13-UDU支持较高的漏极电流，使得它能够在重载条件下保持稳定的性能。
由于采用了无引脚的DFN封装，该MOSFET不仅节省了PCB空间，还增强了热传导性能。
DMN3016LK3-13-UDU适用于多种电力电子应用，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流
2. 电机驱动和控制
3. 电池管理系统的充放电控制
4. 消费类电子产品的负载开关
5. LED驱动器中的电流调节
6. 通信设备中的DC/DC转换模块
凭借其卓越的性能和紧凑的封装，这款MOSFET是众多现代电子产品理想的选择。
DMN3020LKE-13, DMN3019LSE-13
