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TD1509PR 发布时间 时间:2025/9/12 15:19:33 查看 阅读:26

TD1509PR 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和高耐压特性,适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)以及其他高功率密度应用场景。TD1509PR 采用先进的封装技术,提供良好的热性能和电气性能,能够在高电流负载下保持稳定工作。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):80A(在25°C环境温度下)
  导通电阻(Rds(on)):约4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  功耗(Pd):160W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

TD1509PR 的核心特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通损耗,提高系统效率。该器件在高电流应用中表现出色,能够在80A的连续漏极电流下稳定工作。此外,TD1509PR 的最大漏源电压为30V,使其适用于中等电压范围的电源转换应用,如同步整流器、电机驱动器和电源管理系统。
  另一个显著的特点是其良好的热管理性能。采用TO-252(DPAK)封装形式,该器件具有较高的热阻性能,能够在高功率运行时有效散热,确保器件长期稳定运行。此外,该封装形式也便于PCB布局和焊接,适用于表面贴装工艺。
  TD1509PR 还具备较高的栅极驱动兼容性,其栅源电压范围为±20V,能够与常见的驱动IC配合使用,适用于多种电源拓扑结构,如Buck、Boost和同步整流电路。该器件的快速开关特性也有助于降低开关损耗,提高整体能效。

应用

TD1509PR 主要应用于需要高效率和高功率密度的电子系统中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电动工具、工业电源、服务器电源模块以及汽车电子系统中的功率控制单元。在这些应用中,TD1509PR 能够提供低导通损耗和良好的热稳定性,确保系统在高负载条件下仍能高效运行。
  此外,该器件也适用于高电流电机驱动电路,能够为直流电机或步进电机提供稳定可靠的功率控制。由于其优异的电气性能和封装设计,TD1509PR 在工业自动化、消费类电子产品和新能源系统中也得到了广泛应用。

替代型号

SiR150DP-T1-GE3, IRF150PBF, FDP150N03L, FDMS86101

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