型号：TD03G2001BT
　　制造商：Taedok Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：200V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：3A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：12A
　　导通电阻RDS(on)：≤2.8Ω（@VGS=10V）
　　导通电阻RDS(on)：≤3.6Ω（@VGS=5V）
　　阈值电压VGS(th)：2.0~4.0V（@ID=250μA）
　　输入电容Ciss：380pF（@VDS=25V）
　　输出电容Coss：130pF（@VDS=25V）
　　反向传输电容Crss：45pF（@VDS=25V）
　　栅极电荷Qg：12nC（@VGS=10V）
　　开启延迟时间td(on)：12ns
　　上升时间tr：35ns
　　关断延迟时间td(off)：30ns
　　下降时间tf：20ns
　　最大功耗PD：50W（Tc=25℃）
　　工作结温范围TJ：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围Tstg：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（D-Pak）

TD03G2001BT采用先进的沟槽型MOSFET工艺设计，能够在200V的工作电压下实现优异的电气性能。其核心优势之一是低导通电阻，在VGS=10V时RDS(on)最大仅为2.8Ω，有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统的能效表现。这一特性使其特别适用于电池供电设备或需要长时间运行的电源系统中，有助于减少发热并提高可靠性。该器件的栅极阈值电压范围为2.0V至4.0V，确保了与逻辑电平驱动电路的良好兼容性，尤其适合微控制器直接驱动的应用场景。
　　该MOSFET具备出色的开关特性，输入电容Ciss为380pF，反向传输电容Crss仅为45pF，这使得其在高频开关应用中表现出较低的驱动损耗和快速的响应能力。其栅极电荷Qg低至12nC（@VGS=10V），意味着驱动电路所需的能量更少，有利于简化驱动设计并提升开关频率。同时，开启延迟时间和关断延迟时间分别仅为12ns和30ns，配合快速的上升与下降时间，使该器件能够在数百kHz甚至更高的开关频率下稳定工作，适用于高性能DC-DC变换器和同步整流电路。
　　在可靠性方面，TD03G2001BT具有高达150℃的最大工作结温，并通过了严格的高温反向偏压（HTRB）和高温栅极偏压（HTGB）测试，确保在恶劣环境下的长期稳定性。其封装采用TO-252形式，底部带有金属焊盘，可通过PCB敷铜区实现高效散热，显著提升功率密度和热管理能力。此外，该器件具备一定的雪崩耐量，能够承受一定的电压过冲和瞬态应力，增强了在感性负载切换或电源异常情况下的鲁棒性。综合来看，TD03G2001BT在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中压功率开关应用中的理想选择之一。

TD03G2001BT广泛应用于多种电力电子领域，尤其适合作为开关元件用于中等功率的DC-DC转换器中，例如降压（Buck）、升压（Boost）和升降压（Buck-Boost）拓扑结构，常见于通信设备电源模块、嵌入式系统供电单元以及LED驱动电源中。由于其具备良好的开关特性和较低的导通损耗，也常被用于开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管，帮助提升电源转换效率并减小整体体积。
　　在电机控制领域，该器件可用于小型直流电机、步进电机或无刷直流电机（BLDC）的驱动电路中，作为H桥或半桥拓扑中的开关元件，实现精确的速度和方向控制，典型应用场景包括家用电器（如风扇、洗衣机）、电动工具以及工业自动化设备。此外，TD03G2001BT还可用于逆变器电路、UPS不间断电源、太阳能充电控制器等新能源相关产品中，承担能量转换与调控任务。
　　由于其封装形式为TO-252，便于焊接和散热设计，因此也非常适合需要紧凑布局且有一定功率需求的消费类电子产品，如智能插座、电源适配器、移动储能设备等。在汽车电子中，尽管其并非AEC-Q101认证器件，但仍可应用于非关键性的车载辅助电源系统或车灯控制模块中。总体而言，TD03G2001BT凭借其可靠的性能和合理的成本，在工业、消费和轻型电力系统中均有广泛的适用性。

TK03G2002NL