时间：2025/6/17 16:35:59
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SUM110N04-04-E3 是一款由半导体厂商生产的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高电压应用而设计。它具有低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能，适用于各种电源转换和电机驱动应用。
最大漏源电压：450V
连续漏极电流：110A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：125nC
开关时间：ton=65ns, toff=35ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SUM110N04-04-E3 具有以下显著特性：
1. 高电压耐受能力，能够承受高达 450V 的漏源电压。
2. 极低的导通电阻 (2.8mΩ)，有助于降低传导损耗并提高效率。
3. 快速的开关速度，确保在高频操作下的高效性能。
4. 内置保护功能，包括雪崩击穿能力和短路耐受能力，提高了器件的可靠性。
5. 小型封装设计，便于 PCB 布局和散热管理。
6. 宽工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，适合恶劣环境下的使用。
SUM110N04-04-E3 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
2. 工业电机驱动和变频器中的功率级开关。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。
4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 中的牵引逆变器。
5. 各种工业自动化设备中的高功率控制电路。
SUM110N04-02-E3, IRFP260N, STW110N04D
