电容值：2200pF
　　容差：±20%
　　额定电压：50V
　　温度特性：X7R
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装/尺寸：0805（2.0mm x 1.2mm）
　　介质类型：陶瓷
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　电极结构：Ni/Pd
　　产品等级：工业级

TCN033Y222M--2作为一款高性能多层陶瓷电容器，具备优异的温度稳定性和长期可靠性。其核心介质材料采用X7R类陶瓷配方，能够在-55°C至+125°C的宽温范围内保持电容变化率不超过±15%，这对于需要在复杂环境条件下运行的电子设备至关重要。例如，在汽车电子、工业自动化控制器或户外通信模块中，温度波动剧烈，使用此类高稳定性电容可有效避免因电容值漂移导致的电路性能下降问题。
　　该器件采用先进的薄层共烧技术，将多个陶瓷介质层与内电极交替堆叠，最终形成一个高度集成的微型化结构。这种结构不仅提高了单位体积下的电容容量，也显著降低了等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而增强了其在高频下的阻抗响应能力。低ESR意味着更少的能量损耗和更低的发热，特别适合用于DC-DC转换器的输入/输出滤波网络中；而低ESL则有助于抑制高频噪声，提升电源完整性（Power Integrity），在高速数字系统如FPGA或微处理器供电系统中发挥关键作用。
　　TCN033Y222M--2的端电极为镍/钯（Ni/Pd）材质，具备良好的可焊性和抗迁移性能，能够经受多次回流焊过程而不影响连接质量，适用于自动化贴片生产线。同时，该结构还能有效防止银离子迁移现象的发生，提高在潮湿环境下的长期可靠性。此外，该电容符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代绿色电子产品的制造要求。
　　在机械性能方面，该器件具有较强的抗弯曲和抗振动能力，配合柔性端接设计（部分型号支持）可进一步提升在PCB弯折或热应力冲击下的耐用性。尽管TCN033Y222M--2未明确标注为“软端”结构，但其整体设计仍针对实际组装和使用中的机械应力进行了优化，减少了因板子变形而导致的裂纹风险。总体而言，该电容器结合了稳定的电气性能、紧凑的物理尺寸和可靠的制造工艺，是众多中高压、中容量应用的理想选择之一。

TCN033Y222M--2广泛应用于各类需要稳定电容性能的电子系统中。常见用途包括电源管理电路中的去耦与滤波，例如在DC-DC转换器、LDO稳压器的输入输出端配置该电容，可以有效平滑电压波动、抑制开关噪声并提升系统的瞬态响应能力。在高速数字电路中，如微控制器（MCU）、现场可编程门阵列（FPGA）或数字信号处理器（DSP）的电源引脚附近布置此类电容，可提供局部能量储备，降低高频电流环路面积，从而改善电磁兼容性（EMC）表现。
　　该器件也常用于模拟信号链路中的耦合与旁路功能。例如，在运算放大器或多路复用器的信号路径中，利用其稳定的电容值实现交流信号的无损传递，同时阻隔直流偏置。在射频（RF）前端模块或无线通信单元中，TCN033Y222M--2可用于LC谐振电路、阻抗匹配网络或滤波器构建，协助实现频率选择与信号调理。此外，由于其具备一定的耐压能力和温度稳定性，也可用于定时电路、振荡器或传感器接口电路中，作为关键的储能或相位调节元件。
　　在工业控制与自动化设备中，该电容被广泛用于PLC模块、人机界面（HMI）、电机驱动器等产品的电源轨滤波与噪声抑制。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居网关中，它同样承担着关键的去耦任务，保障芯片正常运行。此外，在汽车电子领域，虽然该型号并非专为AEC-Q200认证设计，但在非动力总成相关的车载信息娱乐系统或车身控制模块中仍有应用潜力，前提是工作环境满足其温度与机械应力要求。

C0805C222M5RACTU
　　GRM21BR71H500KA01D
　　CL21A222MJANNNC
　　ECJ-2VB1H222M