电容值：22μF
　　额定电压：6.3V DC
　　电容公差：±20%
　　温度特性：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0805（2.0mm × 1.25mm）
　　介质材料：陶瓷（C0G/NP0）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　直流偏压特性：极低衰减
　　使用寿命：长寿命，无老化现象
　　符合标准：RoHS合规，AEC-Q200（部分等级可选）

TCM0J226M8R所采用的C0G（NP0）电介质是目前最稳定的陶瓷材料之一，能够在整个工作温度范围内保持极其稳定的电容值，其温度系数为0±30ppm/°C，这意味着无论是在极端低温还是高温环境下，电容值的变化都可以忽略不计。这种高度的热稳定性使其成为精密振荡电路、滤波器、定时电路和高频耦合应用的理想选择。与X7R、X5R等高介电常数但稳定性较差的材料相比，C0G材料不会因施加电压而产生明显的电容下降，即具有优异的直流偏压特性。即使在接近额定电压下工作，其有效电容仍能维持在标称值附近，从而确保电路性能的一致性。
　　该电容器还具备非常低的介质损耗（tan δ ≤ 0.15%），意味着其在高频信号处理过程中能量损失极小，有助于提高系统的整体效率并减少发热。同时，由于其非铁电性的晶体结构，C0G电容器不存在滞后效应或噪声生成问题，适用于高保真音频路径和敏感模拟前端。
　　尽管C0G材料的介电常数较低导致相同体积下的电容密度不如其他类型MLCC，但TCM0J226M8R通过先进的叠层工艺实现了22μF在0805尺寸中的高容量集成，代表了当前材料与制造技术的先进水平。该器件还具有良好的机械强度和抗热冲击能力，在回流焊过程中不易开裂。此外，其抗硫化设计增强了在含硫气氛（如工业或汽车环境）中的长期可靠性，防止内部电极因硫化银迁移而导致短路失效。这些综合特性使TCM0J226M8R成为高性能、高可靠性电子系统中的关键被动元件。

TCM0J226M8R因其卓越的电气稳定性和可靠性，被广泛应用于对精度和稳定性要求严苛的电子系统中。在射频（RF）和无线通信模块中，它常用于LC谐振电路、阻抗匹配网络和低相位噪声振荡器，以确保频率稳定性不受温度波动影响。在精密模拟电路中，例如运算放大器反馈回路、有源滤波器和ADC/DAC参考电压旁路，其恒定电容值能够有效避免信号失真和漂移问题。
　　在电源管理单元中，该器件可用作低噪声LDO稳压器的输入/输出去耦电容，提供瞬态响应支持并抑制高频干扰。虽然其电容值相对有限，但由于无直流偏压衰减，实际可用容量远高于同规格X5R/X7R产品，因此在需要精准储能控制的场合更具优势。
　　在汽车电子领域，尤其是信息娱乐系统、传感器接口和车身控制模块中，TCM0J226M8R凭借其宽温特性和抗硫化能力，可在复杂电磁环境和恶劣气候条件下长期稳定运行。此外，在工业自动化设备、医疗监测仪器和测试测量仪器中，该电容器也常用于信号调理电路和时钟生成单元，保障系统测量精度和运行可靠性。随着便携式电子产品向小型化和高性能发展，该型号在智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的高密度PCB布局中也发挥着重要作用。

C0805C226M5RACTU
　　GRM21BR71A226KA01D
　　CL21A226MPQNNNE
　　ECJ-2YB1H226M