类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：-35V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id（最大值）：-10A
　　导通电阻 Rds(on)（最大值）@ Vgs=10V：55mΩ
　　导通电阻 Rds(on)（最大值）@ Vgs=4.5V：75mΩ
　　功耗（Pd）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

TCH35P10R0JE 是一款性能优异的 P 沟道 MOSFET，具有以下几个显著特点：
　　首先，它具备较低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=10V 时最大为 55mΩ，在 Vgs=4.5V 时最大为 75mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　其次，该器件的漏源电压为 -35V，连续漏极电流为 -10A，能够承受较高的电压和电流应力，适用于中等功率的开关应用。
　　此外，TCH35P10R0JE 采用先进的沟槽技术制造，提高了器件的稳定性和耐用性，同时具备良好的热稳定性，适合在高负载环境下工作。
　　其 TO-252（DPAK）封装形式不仅提供了良好的散热性能，也便于表面贴装（SMT）工艺，适合现代自动化生产流程。
　　最后，该器件的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（支持 10V 和 4.5V 驱动），简化了与控制器或驱动电路的接口设计。

TCH35P10R0JE MOSFET 主要用于以下应用场景：
　　在电源管理系统中，例如负载开关、DC-DC 转换器、电源分配系统中作为高边开关使用，其低导通电阻和高电流能力能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
　　在电池供电设备中，如笔记本电脑、平板电脑、工业控制设备等，TCH35P10R0JE 可用于电池充放电管理电路，控制电池与系统之间的连接，提供过流和短路保护功能。
　　在电机驱动、LED 驱动和电源适配器中，该器件可作为功率开关，实现高效的能量传输和控制。
　　此外，该 MOSFET 还适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用，如车载电源管理系统、车载娱乐系统、电动工具等，其良好的热稳定性和耐用性确保在复杂环境下的稳定运行。

Si4410BDY-E3-GE3, IRF9Z24NPBF, FDS4410A, TCH35P10NL, TCH35P10R0K