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BC849C_R1_00001 发布时间 时间:2025/8/14 6:19:16 查看 阅读:22

BC849C_R1_00001 是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)生产的NPN型晶体管,属于小信号晶体管系列,适用于多种通用和低功耗电子电路设计。这款晶体管采用SOT-23(Small Outline Transistor)封装,适合表面贴装技术(SMT),广泛用于放大和开关应用。BC849系列晶体管根据电流放大系数(hFE)的不同分为多个等级,其中BC849C表示其hFE等级为中等增益范围。这种晶体管具有良好的高频响应和稳定性,适用于消费类电子产品、工业控制系统和通信设备。

参数

类型:NPN晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):30V
  集电极-基极电压(VCBO):30V
  发射极-基极电压(VEBO):5V
  集电极电流(IC):100mA
  功耗(Ptot):300mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  电流增益(hFE):110-800(根据等级)
  过渡频率(fT):100MHz
  封装类型:SOT-23

特性

BC849C_R1_00001 晶体管具备多项显著特性,使其在多种电子应用中表现出色。
  首先,其NPN结构使其非常适合用作开关和放大器,特别是在低电压和中等电流条件下。该晶体管的最大集电极电流为100mA,能够支持多种小型电子设备的功率需求。同时,集电极-发射极和集电极-基极的电压额定值均为30V,提供了良好的耐压能力,适合多种电源和信号调节应用。
  其次,BC849C具有较高的过渡频率(fT)达100MHz,这表明其在高频放大电路中表现良好,适用于射频(RF)和中频(IF)信号处理应用。此外,该器件的封装采用SOT-23小型封装形式,体积小、重量轻,适合高密度电路板布局,并支持自动化贴片工艺,提高了生产效率。

应用

BC849C_R1_00001 晶体管广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  1. **模拟放大电路**:由于其良好的高频特性和稳定的电流增益,BC849C常用于音频放大器、信号放大器和传感器接口电路中。
  2. **数字开关电路**:作为NPN晶体管,BC849C可作为电子开关使用,控制LED、继电器、小型电机等负载,广泛应用于消费电子和工业控制系统。
  3. **电源管理**:在DC-DC转换器、稳压电路和电池充电电路中,BC849C可用于控制电流流向和调节输出电压。
  4. **射频(RF)和中频(IF)电路**:凭借其100MHz的过渡频率,该晶体管可用于无线通信设备中的信号放大和调制解调电路。
  5. **汽车电子**:由于其宽工作温度范围和高可靠性,BC849C适用于车载电子系统,如仪表盘控制、车身控制模块和车载娱乐系统。
  6. **嵌入式系统和微控制器接口**:在微控制器(MCU)与外围设备之间,BC849C可用作电平转换器或驱动器,提高系统的兼容性和稳定性。

替代型号

BC847C, BC848C, 2N3904, PN2222A

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BC849C_R1_00001参数

  • 现有数量2,500现货
  • 价格1 : ¥1.51000剪切带(CT)3,000 : ¥0.27075卷带(TR)
  • 系列BC849
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)30 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)600mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)15nA(ICBO)
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)420 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大值330 mW
  • 频率 - 跃迁100MHz
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装SOT-23