时间：2025/7/31 17:41:29
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TCF30RN 是一款由东芝（Toshiba）公司推出的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理应用，例如DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电源管理系统。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，使其适用于需要高功率密度和低损耗的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A（在Tc=25°C时）
脉冲漏极电流（Idm）：360A
导通电阻（Rds(on)）：最大4.5mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220AB、TO-220SIS等
TCF30RN MOSFET具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的效率。这对于需要高电流和高效率的应用（如服务器电源、电动汽车充电器和DC-DC转换器）尤为重要。
其次，该器件采用了先进的沟槽栅极结构，不仅提高了开关速度，还降低了开关损耗，使得TCF30RN适合高频开关应用。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的负担和功耗。
此外，TCF30RN具备高电流承载能力，能够在高负载条件下稳定运行。其最大连续漏极电流可达100A，并支持高达360A的脉冲电流，适用于短时高功率需求的场合。
该MOSFET还具备良好的热稳定性和散热性能，封装设计优化了热阻，有助于将热量迅速传导至外部散热片，从而提高器件的可靠性。
最后，TCF30RN具有宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），适用于各种严苛环境下的工业和汽车应用。
TCF30RN广泛应用于多个高功率电子系统中，主要包括：电源管理模块，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器和负载开关；电动工具和电动汽车中的电机驱动系统；电池管理系统（BMS）中的充放电控制；工业自动化设备中的高电流开关控制；以及各类高效率电源适配器和服务器电源单元。其优异的导通性能和热管理能力，使其成为高密度电源设计的理想选择。
Si7490DP, TPC8107, FDS4410A, IRF3710
