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TCF30RN 发布时间 时间:2025/7/31 17:41:29 查看 阅读:8

TCF30RN 是一款由东芝(Toshiba)公司推出的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源管理应用,例如DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电源管理系统。该器件采用先进的沟槽栅极技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,使其适用于需要高功率密度和低损耗的应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):100A(在Tc=25°C时)
  脉冲漏极电流(Idm):360A
  导通电阻(Rds(on)):最大4.5mΩ(在Vgs=10V时)
  功率耗散(Pd):150W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220AB、TO-220SIS等

特性

TCF30RN MOSFET具有多项优异的电气和热性能特性。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统的效率。这对于需要高电流和高效率的应用(如服务器电源、电动汽车充电器和DC-DC转换器)尤为重要。
  其次,该器件采用了先进的沟槽栅极结构,不仅提高了开关速度,还降低了开关损耗,使得TCF30RN适合高频开关应用。其栅极电荷(Qg)较低,有助于减少驱动电路的负担和功耗。
  此外,TCF30RN具备高电流承载能力,能够在高负载条件下稳定运行。其最大连续漏极电流可达100A,并支持高达360A的脉冲电流,适用于短时高功率需求的场合。
  该MOSFET还具备良好的热稳定性和散热性能,封装设计优化了热阻,有助于将热量迅速传导至外部散热片,从而提高器件的可靠性。
  最后,TCF30RN具有宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C),适用于各种严苛环境下的工业和汽车应用。

应用

TCF30RN广泛应用于多个高功率电子系统中,主要包括:电源管理模块,如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器和负载开关;电动工具和电动汽车中的电机驱动系统;电池管理系统(BMS)中的充放电控制;工业自动化设备中的高电流开关控制;以及各类高效率电源适配器和服务器电源单元。其优异的导通性能和热管理能力,使其成为高密度电源设计的理想选择。

替代型号

Si7490DP, TPC8107, FDS4410A, IRF3710

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TCF30RN参数

  • 制造商Cooper Bussmann