时间：2025/12/26 21:54:54
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Q8006RH4是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他高效率功率管理场合。该器件采用先进的Trench沟道技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性等优点，适用于需要高效能和紧凑设计的现代电子系统。Q8006RH4的封装形式为DPAK（TO-252），便于在印刷电路板上进行焊接与散热处理，同时具备较高的功率密度。该MOSFET工作电压可达60V，连续漏极电流能力为13A，适合中等功率级别的应用需求。得益于其优化的栅极设计，Q8006RH4在高频开关条件下仍能保持较低的开关损耗，有助于提升整体系统效率。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗雪崩能力和可靠性，能够在恶劣的工作环境中稳定运行。Q8006RH4常用于笔记本适配器、LED照明驱动、电池管理系统、电动工具以及工业控制设备中。其出色的电气性能和坚固的封装结构使其成为众多电源设计工程师的首选器件之一。
型号：Q8006RH4
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：13A
脉冲漏极电流（IDM）：52A
最大功耗（PD）：125W
导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10V：22mΩ
导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5V：30mΩ
阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：2300pF
输出电容（Coss）：630pF
反向恢复时间（trr）：38ns
工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +175°C
封装形式：DPAK (TO-252)
