TCDT1102G 是一款由东芝(Toshiba)生产的双通道数字晶体管,属于 TCD 系列。该晶体管将两个 NPN 晶体管集成在一个封装中,具有高增益和低饱和电压的特点,适合用于各种开关和放大电路应用。其紧凑的 SOT-363 封装形式使得它非常适合空间受限的设计。
TCDT1102G 的设计目标是满足消费电子、工业控制以及通信设备中的高性能需求。凭借其优异的电气性能和稳定性,这款晶体管被广泛应用于信号处理、电源管理和其他需要高效开关操作的场景。
类型:双通道NPN晶体管
集电极-发射极击穿电压(VCEO):30V
集电极电流(IC):150mA
集电极功耗(PD):270mW
直流电流增益(hFE):最小100,典型300
工作温度范围(TA):-55℃至+150℃
封装形式:SOT-363
TCDT1102G 具有以下显著特性:
1. 高电流增益:确保在低基极驱动电流的情况下实现高效的电流放大,减少对驱动电路的需求。
2. 低饱和电压:能够提供更低的导通损耗,从而提高效率并降低发热。
3. 双通道设计:在一个封装内集成两个独立的 NPN 晶体管,节省 PCB 空间并简化设计。
4. 小型化封装:SOT-363 封装使其适用于便携式设备及其他小型化产品。
5. 宽工作温度范围:能够在极端环境下稳定运行,适应多种应用场合。
TCDT1102G 的典型应用场景包括:
1. 开关电路:如继电器驱动、LED 驱动等。
2. 放大器电路:音频信号放大、传感器信号放大等。
3. 电源管理:DC-DC 转换器、线性稳压器等。
4. 消费类电子产品:手机、平板电脑、家用电器等。
5. 工业自动化:控制器、接口电路等。
6. 通信设备:数据传输模块、信号调理电路等。
TCDT1102F, TCDT1102E