类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：60A
　　导通电阻(Rds(on))：16mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散(Pd)：200W

TCD51E1H336M具有多项显著的技术特性，这些特性使其在高性能功率电子应用中表现出色。
　　首先，这款MOSFET具有极低的导通电阻（Rds(on)）值，仅为16mΩ，这是其核心优势之一。低导通电阻意味着在导通状态下，器件的功率损耗更低，从而提高了整体系统的效率，并减少了热量的产生。此外，这种低电阻特性还使得TCD51E1H336M能够处理更大的电流，同时保持较低的温度上升，这对高功率应用至关重要。
　　其次，TCD51E1H336M采用了先进的沟槽式栅极技术，这种技术不仅提高了器件的开关性能，还增强了其在高温环境下的稳定性。由于沟槽式栅极结构的设计优化，该器件在高频工作时能够保持较低的开关损耗，这对于开关电源和DC-DC转换器等高频应用非常有利。
　　第三，该器件具有出色的热管理能力。其TO-247封装设计不仅提供了较大的散热面积，还确保了良好的热传导性能，从而能够在高负载条件下长时间稳定运行。TCD51E1H336M的工作温度范围为-55°C至175°C，表明其能够在极端环境条件下可靠工作，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品等广泛领域。
　　最后，这款MOSFET具有较强的抗过载和抗短路能力。由于其内部结构优化设计，TCD51E1H336M能够在短时间内承受较高的电流和电压应力，从而避免因异常工作条件而导致的损坏。这种高可靠性使得该器件非常适合用于对安全性要求较高的应用场合。

TCD51E1H336M因其卓越的性能特性，被广泛应用于多个高功率和高可靠性需求的领域。首先，在电源管理系统中，这款MOSFET常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC转换器中，其低导通电阻和高效率特性使其成为电源设计中的理想选择。通过减少能量损耗，它能够显著提高电源的转换效率，同时降低热量的产生，从而延长设备的使用寿命。
　　其次，在工业自动化和电机控制领域，TCD51E1H336M被广泛用于驱动电机、变频器以及伺服控制系统。其高电流承载能力和出色的热管理性能使其能够在频繁启停和高负载条件下稳定运行，从而提高工业设备的运行效率和可靠性。
　　此外，该器件在汽车电子系统中也具有重要应用，例如电动车辆的电池管理系统（BMS）、车载充电器和电动助力转向系统（EPS）。由于其宽温度范围和高可靠性，TCD51E1H336M能够在严苛的汽车环境中稳定工作，确保系统的长期运行安全。
　　最后，在家用电器和消费类电子产品中，这款MOSFET也常用于高功率设备如电磁炉、微波炉和高功率LED照明系统中，提供高效、稳定的功率控制解决方案。

[
　　 "TCD51E10APL,TCD51E10CP,TCD51E10CPH"
　　]