时间：2025/6/27 4:40:48
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TCC1206COG101J501DT 是一种片式多层陶瓷电容器 (MLCC)，采用 C0G 介质材料制造，具有高稳定性和低损耗的特点。该型号广泛应用于需要高频率性能和温度稳定性较强的电路中，例如滤波器、耦合/去耦电路以及射频电路等。
这种电容器的尺寸为 1206 英寸标准封装（3.2mm x 1.6mm），其容量和额定电压使其适合用于高频信号处理及电源管理场景。
标称电容：10pF
额定电压：50V
介质类型：C0G/NP0
封装形式：1206英寸（3.2mm x 1.6mm）
公差：±1%
工作温度范围：-55℃ to +125℃
直流偏置特性：无显著变化
耐焊性：符合行业标准
终端镀层：锡或兼容无铅焊接
TCC1206COG101J501DT 使用了 C0G 介质，这种介质是温度补偿型介质，能够在很宽的温度范围内保持稳定的电容值，温度系数接近零（0 ± 30 ppm/°C）。此外，它还具有非常低的介质损耗和良好的频率响应特性，适用于高频应用场景。
由于其高稳定性、低损耗和出色的温度特性，该型号在需要精密电容值的高频射频电路设计中表现优异。同时，它的封装设计紧凑且坚固，能够承受较高的机械应力和热冲击，适合现代电子设备的小型化和高可靠性需求。
另外，该电容器具备极低的直流偏置效应，即使在施加直流电压时，电容值的变化也几乎可以忽略不计。
TCC1206COG101J501DT 主要应用于高频通信领域、无线模块设计、振荡器电路、滤波器网络以及各种需要高稳定性的射频电路中。具体包括：
1. 射频前端匹配网络
2. 振荡器中的谐振元件
3. 高速数字电路中的去耦电容
4. 滤波器设计中的关键组件
5. 传感器接口电路中的耦合与隔离
其卓越的温度特性和频率响应性能，使其成为许多高性能电子产品的重要组成部分。
TCC1206NP0101K500DT
TCC1206COG102J500DT
TCC1206NP0101J500DT
