容量：256MB
　　组织结构：16M x 16位
　　电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　时钟频率：166MHz
　　数据速率：166MHz
　　访问时间：5.4ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：Synchronous DRAM
　　刷新周期：64ms

HY57V281620HCST-SI 是一款高性能的同步动态随机存取存储器（SDRAM），其主要特点包括高速数据传输能力、低功耗设计以及稳定的工业级温度适应性。这款芯片的同步接口设计允许其与时钟信号同步工作，从而提高了数据传输效率和系统稳定性。
　　该芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够在不干扰系统操作的情况下维持数据完整性，这对于需要长时间运行且对数据可靠性要求较高的工业控制系统尤为重要。其TSOP封装结构不仅节省空间，还具有良好的热稳定性和机械可靠性，适合在紧凑型电子设备中使用。
　　此外，HY57V281620HCST-SI 的166MHz时钟频率使其能够支持高达166MHz的数据速率，满足了对高速内存访问的需求。3.3V的供电电压设计在保证性能的同时，也兼顾了功耗控制，适合在对功耗敏感的应用场景中使用。工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）也确保了其在极端环境下的稳定运行。

HY57V281620HCST-SI 广泛应用于各种嵌入式系统和工业控制设备中，如工业计算机、自动化控制系统、通信设备、网络路由器、视频采集与处理设备以及高端消费电子产品。其高速存取能力和良好的稳定性使其特别适合用于图像处理、缓存存储、实时数据处理等对内存性能要求较高的场景。此外，由于其具备工业级温度耐受能力，因此也常被用于户外设备、车载电子系统以及工业自动化设备等严苛环境中的数据存储和处理任务。

IS42S16256A-6T、MT48LC16M2A2B4-6A、K4S641632K-TC10