类型: NPN 型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）: 30V
　　集电极-基极电压（VCBO）: 50V
　　发射极-基极电压（VEBO）: 5V
　　集电极电流（IC）: 100mA
　　功耗（PD）: 300mW
　　工作温度范围: -55°C 至 +150°C
　　封装类型: TO-92 或 SOT-23（根据具体版本）
　　增益（hFE）: 最小值为 40，典型值为 80-800，取决于测试条件
　　过渡频率（fT）: 100MHz
　　饱和电压（VCE（sat））: 最大值为 0.25V（在 IC=100mA, IB=5mA 时）

高增益性能：TC8059-5L1E 具有较高的电流增益（hFE），通常在 80 到 800 之间，这使其非常适合用于信号放大电路。
　　宽频率响应：该晶体管的过渡频率（fT）为 100MHz，适合用于高频放大电路，能够处理较高的信号频率。
　　低饱和电压：TC8059-5L1E 的集电极-发射极饱和电压较低，通常最大为 0.25V，这有助于减少功率损耗并提高电路效率。
　　优异的热稳定性：该晶体管在不同温度下表现出良好的稳定性，能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内正常工作。
　　多功能封装：TC8059-5L1E 可以采用 TO-92 或 SOT-23 等常见封装形式，适用于不同的 PCB 设计需求，包括通孔焊接和表面贴装技术（SMT）。
　　高可靠性：作为东芝公司的标准晶体管，TC8059-5L1E 在制造过程中采用了严格的质量控制标准，确保其在各种环境下的可靠性和稳定性。

信号放大电路：TC8059-5L1E 的高增益和宽频率响应使其非常适合用于音频放大器、射频放大器和其他信号放大电路。
　　开关电路：由于其较低的饱和电压和较快的开关速度，TC8059-5L1E 可以用作数字电路中的开关元件，例如在微控制器控制的负载驱动电路中。
　　逻辑电平转换：在需要将不同电压电平的信号进行转换的电路中，TC8059-5L1E 可以作为一个理想的逻辑电平转换器。
　　电源管理：该晶体管可用于小型电源管理系统，如稳压器和电池充电电路，提供稳定的电流控制。
　　消费类电子产品：TC8059-5L1E 被广泛应用于各种消费类电子产品中，如电视、音响设备、遥控器和家用电器控制电路。
　　工业控制：在工业自动化和控制系统中，TC8059-5L1E 可以用于传感器信号放大、继电器驱动和电机控制等应用。

BC547, 2N3904, PN2222A