DS1220 时间：2025/9/4 1:21:48 阅读：16

DS1220 是由 Maxim Integrated（原 Dallas Semiconductor）生产的一款非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）芯片。该芯片结合了 SRAM 存储单元和锂电池供电技术，能够在主电源断电时自动保持存储数据不丢失，因此常用于需要高可靠性和断电数据保护的应用场景，如工业控制系统、数据记录设备、通信设备等。DS1220 提供了与标准异步SRAM兼容的访问接口，确保了其在多种系统中的兼容性和易用性。

参数

容量：2K x 8 位
　　工作电压：4.5V 至 5.5V
　　工作电流：典型值 10mA（读写操作）
　　待机电流：最大 10μA
　　数据保留电流：最大 10μA
　　访问时间：120ns（最大）
　　封装形式：28引脚 DIP 或 SOIC
　　数据保持时间：至少10年（在电源断开情况下）

特性

DS1220 具有以下几个显著特性：
　　首先，其非易失性存储技术无需外部电池管理电路即可实现断电数据保持功能，内部集成了锂电池和电源切换电路，自动检测主电源状态并在断电时切换至电池供电，确保数据安全。
　　其次，该芯片的访问速度较快，访问时间仅为120ns，适用于需要快速数据读写的应用场合。
　　再次，DS1220 采用标准的异步SRAM接口，与常见的SRAM芯片引脚兼容，便于系统设计和替换升级。
　　此外，芯片内部集成了数据保护机制，防止在电源不稳定或断电过程中发生数据损坏或写入错误。
　　最后，DS1220 提供了两种常见的封装形式——28引脚双列直插式封装（DIP）和小型集成电路封装（SOIC），适用于不同类型的电路板设计需求。

应用

DS1220 被广泛应用于需要长期保存数据且断电后仍需维持数据完整性的系统中。典型应用包括工业控制器中的设定参数存储、网络设备中的配置信息保存、测量仪器中的数据缓存、智能电表中的历史数据记录等。此外，DS1220 也可用于需要频繁写入和快速访问的场合，例如实时数据采集系统、嵌入式系统的临时数据存储、安全系统中的日志记录等。由于其具备高速访问能力、非易失性和低功耗待机特性，DS1220 在对可靠性和数据完整性要求较高的嵌入式系统中具有很高的实用价值。