TC7SHU04FU是罗姆(ROHM)公司生产的一款高速、低导通电阻的N沟道功率MOSFET。该器件采用SO-8封装,具有高可靠性和出色的电气性能,适用于各种开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。
这款MOSFET通过优化的制造工艺,在低电压工作条件下表现出优异的效率和散热性能,特别适合便携式电子设备中的电源管理电路。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:4.6A
栅极阈值电压:1.5V至3.0V
导通电阻(典型值):20mΩ
总功耗:1W
工作温度范围:-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为20mΩ,有助于降低传导损耗,提高系统效率。
2. 高速开关能力,栅极电荷较小,可实现快速的开关动作,从而减少开关损耗。
3. 小型化SO-8封装,便于布局设计,同时提供良好的散热性能。
4. 良好的热稳定性和可靠性,能够在宽温度范围内正常运行。
5. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品对绿色材料的要求。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC/DC转换器
3. 电池管理系统(BMS)
4. 电机驱动与控制
5. 负载开关和保护电路
6. 消费类电子产品中的电源管理模块
IRLML2402
AO3402
FDMQ8207