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GA1210Y223KBEAT31G 发布时间 时间:2025/6/4 3:51:59 查看 阅读:7

GA1210Y223KBEAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统的效率和性能。
  该型号具体属于沟道增强型 MOSFET,适用于高电流和高频应用场合。其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK 等表面贴装类型,确保了良好的散热性能和可靠性。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关时间:60ns
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

GA1210Y223KBEAT31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在高电流条件下能有效减少功率损耗。
  2. 高速开关能力,支持高频应用,降低系统中的电磁干扰。
  3. 强大的热管理设计,能够在高负载情况下保持稳定运行。
  4. 高可靠性和长寿命,适合工业及汽车级应用。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子系统中。

应用

这款芯片的主要应用领域包括但不限于以下方面:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器中的功率开关。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  4. 汽车电子系统中的负载切换。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

IRFZ44N, FQP17N12, STP16NF12

GA1210Y223KBEAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.022 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-