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TC58NVG1S3HTAI0 发布时间 时间:2025/12/23 23:33:29 查看 阅读:41

TC58NVG1S3HTAI0 是一款由东芝(Toshiba)生产的NAND闪存芯片。该芯片采用MLC(多层单元)技术,具有高密度存储能力,广泛应用于消费电子设备中,如平板电脑、固态硬盘(SSD)、嵌入式系统和其他需要大容量存储的场合。
  这款芯片的设计注重低功耗和高性能,支持高速接口,适用于对数据吞吐量要求较高的应用场景。

参数

存储容量:64Gb
  存储类型:MLC NAND Flash
  接口类型:Toggle Mode 2.0
  工作电压Vcc:1.8V ± 0.1V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:BGA 169球
  页面大小:8KB + 0.5KB (Spare Area)
  区块大小:512 Pages
  擦写次数:3000次(典型值)
  数据保留时间:10年(在25°C条件下)

特性

TC58NVG1S3HTAI0 具有以下显著特点:
  1. 高存储密度:64Gb 的存储容量使其成为大容量存储应用的理想选择。
  2. 快速接口:支持Toggle Mode 2.0 接口协议,提供高达400MT/s的数据传输速率。
  3. 节能设计:工作电压为1.8V,确保低功耗运行,非常适合便携式设备。
  4. 可靠性:具备3000次擦写周期和长达10年的数据保留能力,在工业和消费级应用中表现出色。
  5. 宽工作温度范围:能够在-40°C至+85°C的环境下稳定运行,适应多种使用场景。

应用

TC58NVG1S3HTAI0 主要用于以下领域:
  1. 固态硬盘(SSD):
   作为主存储介质,提供大容量和快速读写性能。
  2. 嵌入式系统:
   在工业控制、医疗设备和车载系统中用作数据存储解决方案。
  3. 消费电子产品:
   包括平板电脑、智能电视和高端智能手机等,满足其对高效存储的需求。
  4. 数字摄像机与录音设备:
   提供可靠的大容量存储以记录高质量视频和音频文件。
  5. 数据记录器:
   用于保存关键数据日志,确保信息完整性。

替代型号

TC58NVG0S3HTAII0
  TC58NVG1S4HTAI0
  THGLF6G8C8HBAIL
  K9KCG08U1M

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TC58NVG1S3HTAI0产品

TC58NVG1S3HTAI0参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织256M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页25ns
  • 访问时间25 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装48-TSOP I