时间：2025/8/9 16:03:52
阅读：34
FMA16N50E 是一款由 Fairchild（现为 onsemi）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，适用于多种电源管理系统。FMA16N50E 采用 TO-220 封装，具备良好的热稳定性和电流处理能力。该 MOSFET 的漏源电压（VDS）可达 500V，连续漏极电流（ID）在 25°C 下可达 16A，适合用于需要高电压和高电流特性的应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID @ 25°C）：16A
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-220
FMA16N50E 具备低导通电阻（RDS(on)）和高击穿电压的特点，使其在高功率应用中表现出色。该器件的快速开关特性减少了开关损耗，从而提高了整体系统效率。此外，FMA16N50E 的热阻较低，使其在高负载下仍能保持稳定运行，适用于高温环境下的电力系统。
FMA16N50E 的栅极驱动要求较低，能够在较低的栅极电压下实现完全导通，进一步降低了驱动电路的复杂性和成本。这种特性使得该 MOSFET 在开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器以及电机控制电路中具有广泛的应用前景。
该 MOSFET 还具备良好的短路耐受能力，能够在极端条件下提供更高的可靠性。FMA16N50E 的设计考虑了高频工作的需求，其内部结构优化以减少寄生电容和电感，从而降低高频下的开关损耗。这一特性使其非常适合用于高频变换器和逆变器等应用。
FMA16N50E 常用于电源管理系统，包括开关电源、DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、电机控制、逆变器以及各种高电压、高电流的功率电子设备。由于其良好的热稳定性和高效的开关性能，该器件也被广泛应用于工业自动化和新能源领域。
FQA16N50C, FCP16N50E, FSB16N50C
