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TC58NVG1S3ETA00 发布时间 时间:2025/4/29 16:07:27 查看 阅读:2

TC58NVG1S3ETA00 是一款由东芝(Toshiba)制造的NAND闪存芯片。该芯片采用MLC(多层单元)技术,提供大容量的数据存储解决方案。其设计主要用于嵌入式系统、移动设备、固态硬盘(SSD)以及其他需要高效存储的应用场景。
  该型号属于BiCS FLASH系列,支持高速数据传输和可靠的擦写能力,同时具备低功耗的特点,非常适合对性能和功耗要求较高的应用环境。

参数

存储容量:64GB
  接口类型:Toggle Mode 2.0
  工作电压Vcc:1.8V ± 0.1V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:BGA 169球
  页大小:16KB
  块大小:8MB
  数据传输速率:最高可达200MT/s
  擦写寿命:约3000次

特性

TC58NVG1S3ETA00 具有以下显著特性:
  1. 高速数据传输:通过Toggle Mode 2.0 接口实现高吞吐量的数据传输,适用于对速度要求高的应用。
  2. 大容量存储:64GB 的存储空间满足现代设备对于大容量的需求。
  3. 可靠性与耐用性:采用MLC NAND技术,提供更高的数据可靠性和擦写次数。
  4. 低功耗设计:在待机和工作状态下均保持较低的功耗,适合电池供电设备。
  5. 广泛的工作温度范围:从-40°C到+85°C,确保在极端环境下仍能正常工作。
  6. 小型化封装:BGA 169球封装节省了PCB空间,方便应用于紧凑型设计。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 智能手机和平板电脑等移动设备的内部存储。
  2. 嵌入式系统的数据存储模块。
  3. 固态硬盘(SSD)中的存储介质。
  4. 工业控制设备的数据记录功能。
  5. 车载信息系统和其他对可靠性要求较高的应用场景。
  由于其高性能和低功耗特点,这款芯片特别适合便携式电子产品以及需要长时间稳定运行的工业级产品。

替代型号

TC58NVG1S3HTE00
  TC58NVG1S3ETA11
  TH58NVG1S3ETA00

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TC58NVG1S3ETA00参数

  • 标准包装96
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器EEPROMs - 并行
  • 存储器类型EEPROM
  • 存储容量2G(256M x 8)
  • 速度25ns
  • 接口并联
  • 电源电压2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳*
  • 供应商设备封装*
  • 包装*