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TC58NVG0S3HTAI0 发布时间 时间:2025/5/13 14:38:21 查看 阅读:21

TC58NVG0S3HTAI0 是东芝(Toshiba)推出的一款NAND闪存芯片,采用MLC(多层单元)技术,主要用于存储应用。该芯片具有高密度、高性能和低功耗的特点,适用于各种嵌入式系统、消费类电子设备以及工业领域中的数据存储需求。
  这款芯片支持标准的Toggle Mode 2.0接口,能够提供更快的数据传输速率,并且具备强大的纠错能力(ECC),确保数据的可靠性和完整性。

参数

容量:32GB
  接口类型:Toggle Mode 2.0
  工作电压Vcc:1.8V ± 0.1V
  数据传输速率:最高可达240 MB/s
  封装形式:BGA
  工作温度范围:-25°C 到 +85°C
  擦写寿命:约3000次

特性

TC58NVG0S3HTAI0 具备以下主要特性:
  1. 高存储密度:单颗芯片即可实现32GB的存储容量,适合需要大容量存储的应用场景。
  2. 快速接口:采用Toggle Mode 2.0接口,相比传统的ONFI接口提供了更高的传输速度。
  3. 低功耗设计:在读写操作时优化了功耗表现,延长电池供电设备的续航时间。
  4. 稳定性与可靠性:内置强大的错误校正码(ECC)引擎,可以有效纠正位翻转错误,保证数据的长期稳定性。
  5. 广泛的工作温度范围:支持从-25°C到+85°C的工作环境,满足工业级应用需求。
  6. 小型化封装:使用BGA封装形式,有助于减少PCB板空间占用,适合紧凑型设计。

应用

TC58NVG0S3HTAI0 可广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品:如平板电脑、智能手机、数码相机等需要大容量存储的设备。
  2. 嵌入式系统:包括汽车电子、工业控制、医疗设备等对数据存储可靠性要求较高的场合。
  3. 存储卡和U盘:作为核心存储芯片用于SD卡、microSD卡及USB闪存盘中。
  4. 固态硬盘(SSD):可以用作SSD内部的存储介质,为计算机和其他设备提供快速的数据访问能力。
  5. 物联网(IoT)设备:在智能家庭、智慧城市等物联网应用场景中提供可靠的本地数据存储解决方案。

替代型号

TC58NVG0S3HTAII0
  TC58NVG0T3HTAI0
  THGLFGBR9D8BAIR

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TC58NVG0S3HTAI0参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页25ns
  • 访问时间25 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装48-TSOP I