时间：2025/4/27 13:34:39
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TC58NVG0S3ETA0B 是东芝（Toshiba）推出的一款NAND闪存芯片，主要用于存储数据。该器件采用先进的MLC（多层单元）技术，具有较高的存储密度和较低的功耗。广泛应用于嵌入式系统、消费类电子设备如智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）以及其他需要大容量存储的场合。
TC58NVG0S3ETA0B 提供了高可靠性和快速的数据读写性能，同时支持多种接口模式以适应不同的应用需求。
容量：16GB
存储类型：MLC NAND Flash
接口：Toggle Mode 2.0 / ONFi 3.0
工作电压Vcc：2.7V 至 3.6V
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装形式：BGA 169 球
数据保留时间：10 年
擦写周期：3000 次
TC58NVG0S3ETA0B 芯片具备以下特性：
1. 高存储密度设计，能够在小尺寸封装内提供大容量存储。
2. 支持高速数据传输，适用于对速度要求较高的应用场景。
3. 兼容多种协议，包括 Toggle Mode 2.0 和 ONFi 3.0，便于集成到不同类型的系统中。
4. 工作温度范围宽广，适合在恶劣环境下使用。
5. 内置 ECC（错误校正码）引擎，可有效提升数据可靠性。
6. 较低的功耗设计，有助于延长便携式设备的电池寿命。
TC58NVG0S3ETA0B 主要用于以下领域：
1. 嵌入式系统中的数据存储模块。
2. 移动设备如智能手机和平板电脑的内部存储。
3. 固态硬盘（SSD）和其他高性能存储设备。
4. 数字摄像机、数码相机等消费类电子产品的大容量存储解决方案。
5. 工业自动化和物联网设备中的非易失性存储应用。
TC58NVG0S3JTA0B
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