类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：160 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　最大连续漏极电流（Id）：47 A
　　导通电阻（Rds(on)）：@10V Vgs 下 16 mΩ，@4.5V Vgs 下 24 mΩ
　　最大功耗（Pd）：160 W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8 双面散热

MVK16VC47RMF55TP 的主要优势在于其出色的导通性能和高可靠性。其低 Rds(on) 特性可显著降低导通损耗，提高系统效率，同时减少散热需求，有助于设计更紧凑的电源模块。该器件的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（支持 4.5V 至 10V 驱动），使其能够与多种控制器和驱动 IC 配合使用。
　　此外，该 MOSFET 采用了先进的封装技术，提供良好的热管理和电气性能，能够在高温环境下稳定运行。其 PowerPAK SO-8 封装支持双面散热，进一步提升散热效率，延长器件寿命。
　　该器件还具备较高的短路耐受能力，增强了在严苛工况下的可靠性。其优化的沟槽结构设计降低了开关损耗，使器件适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等。
　　由于其高耐用性和稳定性，MVK16VC47RMF55TP 在工业控制、汽车电子、消费类电源管理等领域具有广泛的应用前景。

MVK16VC47RMF55TP 主要应用于以下领域：
　　? 高效率电源转换系统，如 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器
　　? 电机驱动与控制电路
　　? 电池管理系统（BMS）中的负载开关与保护电路
　　? 高功率 LED 驱动电源
　　? 工业自动化与控制系统中的功率开关模块
　　? 汽车电子中的功率管理与配电系统
　　该器件的高性能特性使其成为需要高效率、高可靠性和紧凑设计的功率应用的理想选择。

SiZ160DT, SiR178DP, FDS4760, FDMS86180