TC4W66FU是一款由东芝(Toshiba)生产的MOSFET功率晶体管,采用TO-252表面贴装封装。该器件属于N沟道增强型MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率切换的场景。
TC4W66FU以其低导通电阻和高电流处理能力而著称,适用于中低电压应用场景。其设计能够确保高效的功率转换并减少能量损耗。
最大漏源电压:60V
最大漏极电流:13A
导通电阻(典型值):70mΩ
栅极阈值电压:1.8V~3.6V
功耗:3.6W
工作温度范围:-55℃~150℃
1. TC4W66FU具有较低的导通电阻,能够显著降低功率损耗。
2. 高速开关性能使其非常适合高频应用环境。
3. TO-252封装提供了良好的散热性能,同时兼容表面贴装技术(SMT),便于自动化生产。
4. 它支持较高的连续漏极电流,并具备较高的耐热性能,从而增强了系统的可靠性。
5. TC4W66FU的工作温度范围宽广,适应多种恶劣环境下的应用需求。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 直流-直流(DC-DC)转换器的核心组件。
3. 各类电池管理系统的功率路径控制。
4. 电机驱动电路中的开关元件。
5. 负载开关及保护电路中的关键部件。
IRFZ44N, FDP5572