TC4469MJD 是一款高速 MOSFET 驱动器,专为驱动高端或低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。该芯片具有高输出电流能力、快速开关速度和强大的抗噪性能,适用于多种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为 PDIP-8 和 SOIC-8,便于在不同场景下使用。
TC4469MJD 的工作电压范围较宽,可支持高达保护功能以确保稳定运行。此外,该器件还支持单输入控制模式,能够简化电路设计并降低系统复杂度。
电源电压:4.5V 至 18V
逻辑输入电压:兼容标准 CMOS 和 TTL
输出峰值电流:±1.2A
传播延迟时间(典型值):30ns
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装形式:PDIP-8, SOIC-8
静态功耗:低
输出负载电容:≥1000pF
1. 高速开关性能:TC4469MJD 提供极短的传播延迟时间,使其非常适合高频功率转换应用。
2. 强大的驱动能力:输出峰值电流高达 ±1.2A,能够轻松驱动大容量的功率 MOSFET。
3. 宽工作电压范围:支持 4.5V 至 18V 的电源电压,适应多种供电环境。
4. 内置保护功能:芯片集成了过流保护、短路保护以及热关断功能,提高了系统的可靠性。
5. 兼容性强:输入引脚兼容标准 CMOS 和 TTL 电平,便于与不同的逻辑电路连接。
6. 稳定性好:能够在极端温度范围内正常工作,适合工业及汽车级应用。
1. 开关电源 (SMPS) 中的 MOSFET 驱动
2. 直流无刷电机 (BLDC) 驱动中的功率级控制
3. LED 驱动器中的高效功率开关
4. 电池管理系统的充电/放电控制
5. 逆变器和光伏逆变系统中的功率调节
6. 工业自动化设备中的信号放大与驱动
TC4420, TC4427, FAN3072