型号：MB8287-25PF
　　制造商：Fujitsu
　　存储容量：2K × 8位（16Kb）
　　封装类型：28-DIP 或 28-SOIC
　　工作电压：4.5V ~ 5.5V
　　访问时间：25ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　电源电流（运行模式）：典型值约 55mA
　　电源电流（待机模式）：典型值小于 100μA
　　读写操作：支持异步读写
　　控制信号：片选（CE）、输出使能（OE）、写使能（WE）
　　封装引脚数：28
　　封装材料：塑料或陶瓷DIP/SOIC

MB8287-25PF作为一款经典的CMOS静态RAM器件，其最显著的特性之一是高速的数据访问能力。其最大访问时间为25纳秒，这意味着在理想条件下，每秒可进行超过4000万次的读取或写入操作，这一性能在当时的应用环境中表现优异，特别适合用于微处理器系统的高速缓存、实时数据缓冲区或图形显示内存等场景。该芯片采用异步控制架构，不需要时钟同步信号，仅通过地址线、数据线和三个关键控制信号（片选CE、输出使能OE和写使能WE）即可完成完整的读写周期，简化了系统设计并降低了接口复杂度。
　　另一个重要特性是其低功耗设计。在正常运行状态下，其典型工作电流约为55mA，而在待机或掉电模式下，电流可降至100微安以下，极大地提升了能源效率。这对于便携式设备或长时间运行的工业控制系统尤为重要。此外，MB8287-25PF具备良好的抗干扰能力和稳定性，能够在宽电压范围内稳定工作（4.5V至5.5V），并且输入输出接口完全兼容TTL电平标准，可以直接与多种主流微控制器（如8051、68HC11、Z80等）无缝对接，减少了外围电路的设计难度。
　　从制造工艺上看，该芯片基于成熟的CMOS技术，不仅提高了集成度，还有效降低了静态功耗和热损耗，增强了长期运行的可靠性。其28引脚DIP或SOIC封装形式便于手工焊接和自动化装配，适用于原型开发和批量生产。虽然该型号目前已不再大规模生产，但由于其电气特性和时序规范已被广泛掌握，许多后续的SRAM产品在设计上都保持了引脚兼容和功能兼容性，使得系统升级或替换相对容易。

MB8287-25PF主要用于需要高速、低延迟数据存储的嵌入式系统和工业电子设备中。一个典型的应用场景是作为微处理器或微控制器的外部数据存储器，用于存放程序运行过程中的临时变量、堆栈信息或高速数据采集结果。例如，在老式的工业PLC（可编程逻辑控制器）中，该芯片常被用来缓存I/O状态或中间计算值，以提升控制响应速度。在通信设备中，如调制解调器、路由器或交换机的早期版本中，MB8287-25PF可用于帧缓冲或协议处理中的数据暂存区，确保数据包能够快速读取和转发。
　　此外，该芯片也常见于测试测量仪器，如数字示波器、频谱分析仪等设备中，用于存储采样数据或配置参数。在医疗电子设备中，尤其是上世纪末至本世纪初生产的监护仪或诊断设备中，MB8287-25PF因其高可靠性和稳定性而被选用作为关键数据的临时存储单元。音频和视频处理设备，特别是专业级广播设备或图像采集卡中，也曾使用此类SRAM来实现像素数据的快速存取。
　　由于其TTL电平兼容性和简单的接口时序，该芯片非常适合用于教学实验平台和电子爱好者项目中，帮助学习者理解存储器的工作原理和总线操作机制。即使在当前的技术环境下，一些维护老旧设备的技术人员仍然依赖MB8287-25PF进行替换维修。因此，尽管新型低功耗、高密度SRAM不断涌现，MB8287-25PF在特定应用场景和备件市场中依然具有一定的实用价值。

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