TC4469EOE 时间：2025/12/24 16:51:53 阅读：24

TC4469EOE是一款由Microchip Technology公司生产的高速MOSFET驱动器芯片。该芯片专为驱动N沟道和P沟道MOSFET设计，具有高驱动能力和快速响应的特点，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和各种高频功率转换系统中。TC4469EOE采用8引脚SOIC封装，适用于工业级温度范围（-40°C至+85°C），具备良好的热稳定性和抗干扰能力。

参数

类型：MOSFET驱动器
　　封装类型：SOIC-8
　　电源电压：4.5V至18V
　　输出电流：1.2A（峰值）
　　输入逻辑类型：TTL/CMOS兼容
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　驱动能力：高端和低端均支持独立控制
　　传播延迟：约100ns
　　上升/下降时间：约15ns（典型值）

特性

TC4469EOE具有多个显著的性能特点，首先其双通道输出结构支持高端和低端MOSFET的独立控制，适用于半桥和全桥拓扑结构。该芯片的驱动能力强，能够提供高达1.2A的峰值电流，确保MOSFET快速导通和关断，降低开关损耗。
　　此外，TC4469EOE具备宽电源电压范围（4.5V至18V），适应不同功率等级的系统需求。其输入逻辑兼容TTL和CMOS电平，便于与各种控制器或处理器接口连接。
　　芯片内部集成欠压保护（UVLO）功能，在电源电压不足时自动关闭输出，防止MOSFET在非理想条件下工作，提高系统可靠性。TC4469EOE还具有热关断保护功能，防止因过热而损坏。
　　该器件采用SOIC-8封装，体积小巧，适合高密度PCB设计。其传播延迟和上升/下降时间控制良好，有助于提高系统效率和稳定性，适用于高频开关应用。

应用

TC4469EOE广泛应用于多种功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统以及电池充电器等。由于其支持高端和低端MOSFET的独立控制，非常适合用于半桥和全桥拓扑结构的设计。
　　在电机控制应用中，TC4469EOE可用于驱动H桥中的MOSFET，实现电机正反转和制动功能。在太阳能逆变器和储能系统中，该芯片可以用于提高转换效率并减少功率损耗。
　　此外，TC4469EOE也常用于工业自动化设备、汽车电子系统以及消费类电子产品中的功率管理模块。