TC4467EPD 时间：2025/12/24 18:40:36 阅读：17

TC4467EPD 是 Microchip Technology（微芯科技）生产的一款高速、双路、低压侧 MOSFET 驱动器集成电路。该器件专为驱动功率 MOSFET 和 IGBT 设计，适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制和功率因数校正等应用。TC4467EPD 采用 8 引脚 PDIP 封装，具有高驱动能力、宽工作电压范围和优异的抗干扰能力。

参数

型号: TC4467EPD
　　封装类型: PDIP-8
　　工作电压范围: 4.5V 至 18V
　　输出电流（峰值）: 1.2A（典型值）
　　传播延迟时间: 30ns（典型值）
　　上升/下降时间: 10ns（典型值，1000pF负载）
　　工作温度范围: -40°C 至 +125°C
　　输入逻辑类型: TTL/CMOS 兼容
　　输出配置: 双通道、非反相
　　驱动器类型: MOSFET、IGBT

特性

TC4467EPD 具备一系列高性能特性，使其适用于各种高功率、高频率的应用环境。其核心优势之一是能够在宽电压范围内（4.5V 至 18V）稳定工作，适应多种电源系统需求。器件的两个输出通道均提供高达 1.2A 的峰值驱动电流，可快速充放电 MOSFET 的栅极电容，显著减少开关损耗。
　　此外，TC4467EPD 的传播延迟时间仅为 30ns（典型值），上升和下降时间在 1000pF 负载条件下为 10ns，使其适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC 转换器和马达驱动器。输入端支持 TTL 和 CMOS 逻辑电平，简化了与控制器的接口设计。
　　该器件具备良好的抗电磁干扰（EMI）能力，且输出端具有短路和过热保护功能，提高了系统的可靠性。其内部设计还包含交叉导通保护机制，防止上下桥臂同时导通，避免造成直通短路。
　　TC4467EPD 的封装为 8 引脚 PDIP，便于安装在标准 PCB 上，并提供良好的热管理性能，适用于工业控制、汽车电子、通信电源等应用环境。

应用

TC4467EPD 主要应用于需要高速、高效率驱动 MOSFET 或 IGBT 的场合。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、功率因数校正（PFC）电路、逆变器以及电池充电器等。该器件特别适合用于半桥或全桥拓扑结构中的低压侧驱动部分，提供快速响应和稳定的输出性能。
　　在工业自动化和电力电子系统中，TC4467EPD 可作为主控芯片与功率器件之间的关键接口，确保功率开关器件在高频条件下高效工作。此外，在新能源领域如太阳能逆变器和电动汽车充电模块中，TC4467EPD 也能发挥重要作用，提高系统效率和稳定性。