MAT10100是一款高性能的功率MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。其设计目标是提供低导通电阻和高效率,适用于需要大电流和快速开关的应用环境。
该器件采用先进的半导体制造工艺,能够在高频工作条件下保持稳定的性能表现,同时具备优异的热稳定性和抗浪涌能力,适合工业级和消费级应用。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压Vds:100V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:60A
导通电阻Rds(on):3mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷Qg:50nC
开关时间:ton=12ns,toff=18ns
工作温度范围:-55℃至+175℃
MAT10100具有极低的导通电阻,能够显著减少导通损耗,提高系统效率。
它支持高达60A的连续漏极电流,满足高功率应用需求。
该器件具备快速的开关速度,可以有效降低开关损耗,并在高频应用中表现出色。
此外,MAT10100还具有出色的热稳定性,即使在极端温度环境下也能保持可靠的性能。
它的封装形式为TO-247,提供了良好的散热性能,方便用户进行系统集成。
MAT10100主要应用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机控制、太阳能逆变器以及负载切换等领域。
由于其低导通电阻和高效率的特点,特别适合于要求高能效比的工业设备和消费电子产品。
此外,在需要大电流处理和高温环境下的应用场景,例如电动汽车充电模块或工业自动化控制系统,MAT10100同样表现出色。
MAT10101
MAT10102
IRF1010Z