SESD3V3DLCB是一种高性能的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护电子电路免受静电放电(ESD)、雷击和其他瞬态过压事件的影响而设计。该器件采用超小型芯片级封装(CSP),适合空间受限的应用场景,同时具备低电容和快速响应的特点,能够有效保护高速数据线和信号线。
SESD3V3DLCB的工作电压为3.3V,广泛用于消费电子、通信设备、工业控制以及汽车电子等领域,确保敏感电子元器件在恶劣环境下的可靠性。
工作电压:3.3V
峰值脉冲电流:±12A
最大箝位电压:17.5V
响应时间:≤1ps
结电容:0.4pF
漏电流:≤1μA(@VRWM)
工作温度范围:-55℃至+150℃
SESD3V3DLCB具有以下显著特性:
1. 超低结电容(0.4pF),非常适合高速数据线保护。
2. 快速响应时间(≤1ps),可及时抑制瞬态电压威胁。
3. 高浪涌承受能力(峰值脉冲电流达±12A),增强防护性能。
4. 小型化封装(CSP),节省PCB空间。
5. 宽工作温度范围(-55℃至+150℃),适应各种严苛环境。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
这些特点使SESD3V3DLCB成为保护USB接口、HDMI端口、以太网以及其他高速数据传输线路的理想选择。
SESD3V3DLCB广泛应用于以下领域:
1. 消费电子产品:智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。
2. 通信设备:路由器、交换机、调制解调器等。
3. 工业控制:PLC模块、传感器接口、数据采集系统等。
4. 汽车电子:车载信息娱乐系统、导航系统、ADAS等。
5. 其他需要ESD和过压保护的高速信号线路。
它特别适用于对信号完整性要求较高的场合,例如USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort、PCIe等接口的保护。
SESD3V3CLCB, PESD3V3X1BL