时间：2025/6/28 18:32:55
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TBZT52C18S 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的制造工艺设计，广泛应用于高效率、高频开关应用中。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和良好的热性能，适用于各种电源管理场景，包括 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等。
其封装形式通常为 TO-263 (DPAK)，便于散热且适合表面贴装技术 (SMT) 工艺。通过优化的芯片结构和封装设计，TBZT52C18S 在功率密度和可靠性方面表现出色。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：38A
导通电阻：1.8mΩ
总栅极电荷：48nC
开关速度：超快
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
TBZT52C18S 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在典型条件下仅为 1.8 毫欧，从而显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力，能够支持高达 38 安培的连续漏极电流，适合大功率应用。
3. 快速开关性能，得益于其较低的总栅极电荷 (Qg)，有助于减少开关损耗。
4. 广泛的工作温度范围 (-55°C 到 +175°C)，确保在极端环境下的可靠运行。
5. 封装形式为 TO-263，具备良好的散热性能，同时兼容自动化的表面贴装生产流程。
6. 内置 ESD 保护功能，提高了器件的鲁棒性和抗静电能力。
这些特性使得 TBZT52C18S 成为高性能功率转换和控制电路的理想选择。
TBZT52C18S 的典型应用场景包括：
1. 开关电源 (SMPS) 中的功率级开关元件。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 各类负载开关和保护电路，例如电池管理系统 (BMS)。
4. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
由于其出色的电气性能和可靠性，TBZT52C18S 在消费电子、工业控制以及汽车电子领域均有广泛应用。
TBZT52C22S, IRF540N, FDP55N06L
