类型：功率MOSFET模块
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）：250A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为 6mΩ
　　封装类型：双侧散热（DIP封装）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　栅极驱动电压：10V 至 20V
　　短路耐受能力：有
　　隔离电压：2500Vrms/分钟

TBL250P06-5DL8 具备多项优良特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了整体效率。这对于需要持续高负载运行的设备尤为重要。
　　其次，其结构设计优化了热管理和散热性能。模块内部的双面散热结构使得热量能够更有效地传递到外部环境，提升了模块在高温条件下的稳定性与寿命。
　　再者，TBL250P06-5DL8 拥有良好的短路保护能力，在异常工况下可以承受一定的短路电流而不至于损坏，增强了系统的可靠性和安全性。
　　此外，该模块具备较高的绝缘等级（隔离电压达2500Vrms/分钟），适用于对电气安全要求较高的工业和电力电子设备。
　　最后，其封装设计符合行业标准，便于安装和维护，适合在紧凑型电路设计中使用。

TBL250P06-5DL8 常用于各种高功率和高性能需求的应用场景，包括但不限于：
　　- 工业逆变器和变频器系统
　　- 高功率电机驱动器
　　- UPS不间断电源系统
　　- 新能源领域如太阳能逆变器和储能系统
　　- 电焊机及等离子切割设备
　　- 大功率DC-DC转换器
　　由于其卓越的电气特性和热管理能力，TBL250P06-5DL8 在上述应用中能够提供更高的效率和更长的使用寿命，是工业和电力电子系统设计中的优选元件。

SKM250GB060D, FZ250R06KE3