时间：2025/8/7 13:48:23
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TBK5163203DH 是一款由东芝（Toshiba）公司推出的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管，适用于高功率和高效率的应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，能够满足对性能和可靠性要求较高的电子设备需求。
类型：N沟道
漏极电流（Id）：60A
漏极-源极击穿电压（Vds）：60V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（典型值）
工作温度：-55°C 至 175°C
封装类型：H8
TBK5163203DH具有低导通电阻特性，这意味着在导通状态下，其功耗较低，有助于提高系统效率。此外，该器件的高电流承载能力使其能够胜任大功率应用场景。其高耐压特性确保了在高压环境下能够稳定运行，同时具备良好的热稳定性，适用于各种高负载工作条件。
这款MOSFET晶体管采用了先进的制造工艺，确保其在高温环境下仍能保持稳定性能。其封装设计有利于散热，从而提高了整体可靠性。TBK5163203DH还具备快速开关特性，适用于高频操作场景，能够减少开关损耗并提高系统响应速度。
TBK5163203DH广泛应用于电源管理模块、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统以及各类工业自动化设备。其高效率和高可靠性的特点使其成为高性能电源设计中的理想选择。此外，它也适用于汽车电子系统、电动工具和家用电器等对性能要求较高的设备。
TK60A06K3,TBKT60A06K3
