VPR501U016E1A 是一款由 Vishay Siliconix 生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的TrenchFET技术,提供了卓越的导通电阻和开关性能。VPR501U016E1A 是一款N沟道增强型MOSFET,适用于多种高功率电子设备,例如电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及电池管理系统。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流:50A
最大源极电流:50A
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):16mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg):88nC
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:PowerPAK SO-8双侧散热
VPR501U016E1A 具备多项优异的电气和热性能,适用于高功率密度和高效率的电力电子系统设计。其采用的TrenchFET技术大幅降低了导通电阻,从而减少了导通损耗,提高了整体效率。此外,该MOSFET具有较低的栅极电荷(Qg),使得开关损耗显著降低,适合高频开关操作。
该器件的导通电阻仅为16mΩ,当栅极驱动电压为10V时,能够显著降低导通状态下的功率损耗,从而提高系统的整体效率。同时,VPR501U016E1A 还具有较高的电流承载能力,最大漏极电流可达50A,适用于大功率应用。
为了增强散热性能,VPR501U016E1A 采用了PowerPAK SO-8双侧散热封装技术,使得器件在高负载下也能保持良好的热稳定性,避免因过热而损坏。这种封装形式还具有较小的PCB占用空间,非常适合现代高密度电子设计。
另外,该MOSFET的栅源电压范围为±20V,提供了较高的栅极驱动兼容性,可以与多种控制器和驱动器配合使用。其工作温度范围为-55°C至+175°C,使其在极端温度环境下依然能够稳定运行。
VPR501U016E1A 主要用于需要高功率和高效率的应用场景,包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机控制器、电池管理系统以及高功率负载开关。由于其出色的电气特性和热管理能力,该MOSFET广泛应用于工业电源、服务器电源、电动工具、电动车辆(EV)以及储能系统等领域。
在DC-DC转换器中,VPR501U016E1A 可作为主开关器件,用于升压或降压电路,实现高效的能量转换。在电机控制应用中,它可以用于H桥结构,实现电机的正反转和速度调节。在电池管理系统中,该器件可用于电池充放电控制,确保电池组的安全运行。
此外,由于其低导通电阻和高电流能力,VPR501U016E1A 也适用于高频开关电源设计,如同步整流器和负载开关。在这些应用中,它能够显著减少导通和开关损耗,提高系统效率,并延长设备的工作寿命。
SiR100DP, IRF3710, SQJ482EP, IPB016N10N3GKSA1