时间：2025/8/4 17:16:34
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VPR501U016E1A 是一款由 Vishay Siliconix 生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的TrenchFET技术，提供了卓越的导通电阻和开关性能。VPR501U016E1A 是一款N沟道增强型MOSFET，适用于多种高功率电子设备，例如电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及电池管理系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流：50A
最大源极电流：50A
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：16mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg)：88nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerPAK SO-8双侧散热
VPR501U016E1A 具备多项优异的电气和热性能，适用于高功率密度和高效率的电力电子系统设计。其采用的TrenchFET技术大幅降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷(Qg)，使得开关损耗显著降低，适合高频开关操作。
该器件的导通电阻仅为16mΩ，当栅极驱动电压为10V时，能够显著降低导通状态下的功率损耗，从而提高系统的整体效率。同时，VPR501U016E1A 还具有较高的电流承载能力，最大漏极电流可达50A，适用于大功率应用。
为了增强散热性能，VPR501U016E1A 采用了PowerPAK SO-8双侧散热封装技术，使得器件在高负载下也能保持良好的热稳定性，避免因过热而损坏。这种封装形式还具有较小的PCB占用空间，非常适合现代高密度电子设计。
另外，该MOSFET的栅源电压范围为±20V，提供了较高的栅极驱动兼容性，可以与多种控制器和驱动器配合使用。其工作温度范围为-55°C至+175°C，使其在极端温度环境下依然能够稳定运行。
VPR501U016E1A 主要用于需要高功率和高效率的应用场景，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机控制器、电池管理系统以及高功率负载开关。由于其出色的电气特性和热管理能力，该MOSFET广泛应用于工业电源、服务器电源、电动工具、电动车辆（EV）以及储能系统等领域。
在DC-DC转换器中，VPR501U016E1A 可作为主开关器件，用于升压或降压电路，实现高效的能量转换。在电机控制应用中，它可以用于H桥结构，实现电机的正反转和速度调节。在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制，确保电池组的安全运行。
此外，由于其低导通电阻和高电流能力，VPR501U016E1A 也适用于高频开关电源设计，如同步整流器和负载开关。在这些应用中，它能够显著减少导通和开关损耗，提高系统效率，并延长设备的工作寿命。
SiR100DP, IRF3710, SQJ482EP, IPB016N10N3GKSA1
